BTB718N3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTB718N3

Código: 718

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 190 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 33 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: SOT23

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BTB718N3 datasheet

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BTB718N3

Spec. No. C240N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2013.02.19 Revised Date Page No. 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB718N3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (max), at IC / IB = -2A / -0.1A Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline SOT-23 BTB718N3 B Base C Col

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BTB718N3

Spec. No. C661N3 Issued Date 2009.11.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 High Current PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) BTB7150N3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors

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