BTB718N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB718N3

Маркировка: 718

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 190 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 33 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 180

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BTB718N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB718N3 даташит

 ..1. Size:311K  cystek
 btb718n3.pdf pdf_icon

BTB718N3

Spec. No. C240N3 CYStech Electronics Corp. Issued Date 2013.02.19 Revised Date Page No. 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB718N3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3 V (max), at IC / IB = -2A / -0.1A Excellent current gain characteristics Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline SOT-23 BTB718N3 B Base C Col

 9.1. Size:257K  cystek
 btb7150n3.pdf pdf_icon

BTB718N3

Spec. No. C661N3 Issued Date 2009.11.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 High Current PNP Digital Transistors (Built-in Resistors) BTB7150N3 Features Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without connecting external input resistors (see equivalent circuit). The bias resistors consist of thin-film resistors

Другие транзисторы: BTA1952J3, BTA1972K3, BTA2029Y3, BTA3513I3, BTA3513J3, BTA4403A3, BTA9012A3, BTB589N3, D880, BTB772AJ3, BTB772AM3, BTB772I3, BTB772J3, BTB772ST3, BTB772T3, BTB818AG6, BTB818N6