BTB857AD3 Todos los transistores

 

BTB857AD3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTB857AD3
   Código: B857
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 180 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 140 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 15 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: TO126ML
 

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BTB857AD3 Datasheet (PDF)

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BTB857AD3

Spec. No. : C601D3 Issued Date : 2008.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2012.02.17 Page No. : 1/5 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB857AD3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.15V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA RoHS compliant package Symbol Outline BTB857AD3 TO-126ML BBa

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BTB857AD3

Spec. No. : C601D3 Issued Date : 2008.12.23 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BTB857D3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.3V (typical), at IC / IB = -2A / -0.2A Excellent DC current gain characteristics Wide SOA Complementary to BTC5103D3 RoHS compliant package Symbol Outline BTB857D

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History: D29J1 | AFY23 | ECG272 | 2SB559

 

 
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