BTB5140N3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTB5140N3

Código: 2H

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.45 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 75 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 20 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 300

Encapsulados: SOT23

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BTB5140N3 datasheet

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BTB5140N3

Spec. No. C809N3 Issued Date 2010.10.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -40V IC -2A BTB5140N3 RCESAT(TYP) 0.22 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.25V (max), at IC / IB =- 500mA /- 50mA Pb-free package Symbol Outline BTB5140N3 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute

Otros transistores... BTB1427M3, BTB1498N3, BTB1580J3, BTB1580L3, BTB1580M3, BTB1590N3, BTB4110D3, BTB4511J3, A1015, BTB5213L3, BTB5240N3, BTB5839M3, BTB9050N3, BTB9435J3, BTB9435L3, BTC945A3, BTC1510E3