BTB5140N3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTB5140N3

Маркировка: 2H

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 300

Корпус транзистора: SOT23

 Аналоги (замена) для BTB5140N3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTB5140N3 даташит

 ..1. Size:278K  cystek
 btb5140n3.pdf pdf_icon

BTB5140N3

Spec. No. C809N3 Issued Date 2010.10.14 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -40V IC -2A BTB5140N3 RCESAT(TYP) 0.22 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.25V (max), at IC / IB =- 500mA /- 50mA Pb-free package Symbol Outline BTB5140N3 SOT-23 B Base C Collector E Emitter Absolute

Другие транзисторы: BTB1427M3, BTB1498N3, BTB1580J3, BTB1580L3, BTB1580M3, BTB1590N3, BTB4110D3, BTB4511J3, A1015, BTB5213L3, BTB5240N3, BTB5839M3, BTB9050N3, BTB9435J3, BTB9435L3, BTC945A3, BTC1510E3