Биполярный транзистор BTB5140N3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTB5140N3
Маркировка: 2H
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 20 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 300
Корпус транзистора: SOT23
Аналоги (замена) для BTB5140N3
BTB5140N3 Datasheet (PDF)
btb5140n3.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
Spec. No. : C809N3 Issued Date : 2010.10.14 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor BVCEO -40VIC -2ABTB5140N3 RCESAT(TYP) 0.22 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=-0.25V (max), at IC / IB =- 500mA /- 50mA Pb-free package Symbol Outline BTB5140N3 SOT-23 BBase CCollector EEmitter Absolute
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .