BTC2383K3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTC2383K3
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
Tensión colector-base (Vcb): 200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6.2 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 160
Paquete / Cubierta: TO92L
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar BTC2383K3
BTC2383K3 Datasheet (PDF)
btc2383k3.pdf
Spec. No. : C625K3 Issued Date : 2014.04.17 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 NPN Epitaxial Planar TransistorBVCEO 160VIC 1ABTC2383K3RCESAT(MAX) 1 Features High breakdown voltage , BV =160V CEO Low Saturation Voltage, V =0.2V(typ)@I =500mA, I =50mA CE(sat) C B Complementary to BTA1013K3 Pb-free lead plating and halogen-free
btc2383a3.pdf
Spec. No. : C316 Issued Date : 2005.12.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2006.03.17 Page No. : 1/9 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC2383A3Features High breakdown voltage, BV 200V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Complementary to BTA1013A3 Pb-free package Symbol Outlin
btc2328ak3.pdf
Spec. No. : C858K3 Issued Date : 2014.11.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/8 NPN Epitaxial Planar TransistorBVCEO 30VIC 2ABTC2328AK3RCESAT(MAX) 333m Features Low Saturation Voltage, V =0.5V(max)@I =1.5A, I =30mA CE(sat) C B Complementary to BTA928AK3 Pb-free lead plating and halogen-free package Symbol Outline TO-92L BTC2328
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