BTC2655S3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTC2655S3
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.225 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 2 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 250 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 13 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
Paquete / Cubierta: SOT323
BTC2655S3 Datasheet (PDF)
btc2655s3.pdf

Spec. No. : C602S3 Issued Date : 2012.04.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 50VBTC2655S3IC 2ARCESAT(max) 300m Features High breakdown voltage, BV 50V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free lead plating package Symbo
btc2655k3.pdf

Spec. No. : C602K3 Issued Date : 2011.12.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.25 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 60VBTC2655K3IC 2ARCESAT(max) 300m Features High breakdown voltage, BV 60V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free lead plating packa
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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