Биполярный транзистор BTC2655S3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTC2655S3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.225 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 13 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
Корпус транзистора: SOT323
Аналоги (замена) для BTC2655S3
BTC2655S3 Datasheet (PDF)
btc2655s3.pdf
Spec. No. : C602S3 Issued Date : 2012.04.12 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 50VBTC2655S3IC 2ARCESAT(max) 300m Features High breakdown voltage, BV 50V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free lead plating package Symbo
btc2655k3.pdf
Spec. No. : C602K3 Issued Date : 2011.12.21 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.12.25 Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 60VBTC2655K3IC 2ARCESAT(max) 300m Features High breakdown voltage, BV 60V CEO Large continuous collector current capability Low collector saturation voltage Pb-free lead plating packa
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
