BTC5103I3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTC5103I3

Código: C5103

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W

Tensión colector-base (Vcb): 100 V

Tensión colector-emisor (Vce): 60 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 30 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 80 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 82

Encapsulados: TO251

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BTC5103I3 datasheet

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BTC5103I3

Spec. No. C651I3 Issued Date 2005.10.05 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/5 High Speed Switching Transistor BVCEO 60V IC 5A BTC5103I3 RCESAT 110m Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.33 V(typical), at IC / IB = 3A / 0.3A High Switching Speed Wide SOA Complementary to BTA1952I3 RoHS compliant package Symbol Outline

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BTC5103I3

Spec. No. C213WC3 Issued Date 2003.08.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/3 High Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5181WC3 Description The BTC5181WC3 is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for low noise microwave amplification application. Symbol Outline SOT-523 BTC5181WC3 B Base C Collector E Emitter Features

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