BTC5103I3 Todos los transistores

 

BTC5103I3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTC5103I3
   Código: C5103
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 30 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 30 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: TO251
 

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BTC5103I3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:213K  cystek
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BTC5103I3

Spec. No. : C651I3 Issued Date : 2005.10.05 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2009.02.04 Page No. : 1/5 High Speed Switching Transistor BVCEO 60VIC 5ABTC5103I3 RCESAT 110m Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.33 V(typical), at IC / IB = 3A / 0.3A High Switching Speed Wide SOA Complementary to BTA1952I3 RoHS compliant package Symbol Outline

 9.1. Size:158K  cystek
 btc5181wc3.pdf pdf_icon

BTC5103I3

Spec. No. : C213WC3 Issued Date : 2003.08.15 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/3 High Frequency NPN Epitaxial Planar Transistor BTC5181WC3 Description The BTC5181WC3 is a NPN Epitaxial Silicon Transistor designed for low noise microwave amplification application. Symbol Outline SOT-523 BTC5181WC3 BBase CCollector EEmitter Features

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History: MT3S37FS

 

 
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