BTC9013A3 Todos los transistores

 

BTC9013A3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTC9013A3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
   Tensión colector-base (Vcb): 75 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 5.4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 144
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BTC9013A3 datasheet

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BTC9013A3

Spec. No. C203A3 Issued Date 2014.02.17 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2014.02.24 Page No. 1/8 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC9013A3 Description The BTC9013A3 is designed for using in driver stage of AF amplifier and general purpose switching application. High current , I = 0.6A C Low V , V = 50mV(typ.) at I /I = 100mA/10mA,

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BTC9013A3

Spec. No. C202A3 Issued Date 2008.01.16 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1 / 4 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTC9014A3 Description The BTC9014A3 is designed for use in pre-amplifier of low level and low noise. Complementary to BTA9015A3. Pb-free package Symbol Outline BTC9014A3 TO-92 B Base C Collector E Emi

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