BTD965A3 Todos los transistores

 

BTD965A3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTD965A3
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.75 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 300
   Paquete / Cubierta: TO92
 

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BTD965A3 Datasheet (PDF)

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BTD965A3

Spec. No. : C847A3 Issued Date : 2003.04.01 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2011.02.14 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 20VIC 5ABTD965A3 RCESAT(typ) 0.12 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386A3 Pb-free package

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BTD965A3

Spec. No. : C852A3 Issued Date : 2004.07.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2007.04.18 Page No. : 1/5 Low VCE(sat) NPN Planar Transistor BTD965LA3 Features High current capability Low collector-to-emitter saturation voltage High allowable power dissipation Pb-free package Applications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers, strobes Sy

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BTD965A3

Spec. No. : C847N3 Issued Date : 2003.07.02 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.01.03 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD965N3 Features Low VCE(sat), VCE(sat)=0.35 V (typical), at IC / IB = 3A / 0.1A Excellent DC current gain characteristics Complementary to BTB1386N3 Symbol Outline BTD965N3 SOT-23 BBase CCollector

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