BTD1383M3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTD1383M3

Código: WA

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 32 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 250 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 20000

Encapsulados: SOT89

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BTD1383M3 datasheet

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BTD1383M3

Spec. No. C214M3 Issued Date 2006.11.10 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.08.06 Page No. 1/6 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1383M3 Description The BTD1383M3 is a darlington amplifier transistor. Pb-free package Symbol Outline SOT-89 BTD1383M3 C B B Base B C E C Collector E E Emitter Absolute Maximum Ratin

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BTD1383M3

Spec. No. C214L3 Issued Date 2005.01.20 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/4 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTD1383L3 Description The BTD1383L3 is a darlington amplifier transistor. Symbol Outline BTD1383L3 SOT-223 C C B E C B Base B C Collector E E Emitter Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter

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BTD1383M3

Spec. No. C857N3 Issued Date 2011.03.31 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2011.04.01 Page No. 1/8 NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 20V AUDIO MUTING APPLICATION IC 500mA RCE(SAT) 0.3 (typ) BTD1304N3 Features High Emitter-Base voltage, VEBO=12V(min). High reverse hFE, reverse hFE=20(min.) @VCE=2V, IC=4mA. Low On-resistance, Ron=0.6 (max)@IB

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