BTD6055M3 Todos los transistores

 

BTD6055M3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTD6055M3

Código: D6055

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 15 V

Tensión colector-emisor (Vce): 10 V

Tensión emisor-base (Veb): 7 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 100 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 50 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 250

Encapsulados: SOT-89

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BTD6055M3 datasheet

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BTD6055M3

Spec. No. C659M3 Issued Date 2008.06.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 NPN Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTD6055M3 Features Low VCE(SAT) Low RCE(SAT), RCE(SAT)=50 m (typically) at IC=5A Low operating collector voltage Excellent current gain characteristics at very low VCE Suitable for low drop

 7.1. Size:235K  cystek
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BTD6055M3

Spec. No. C659J3 Issued Date 2008.06.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD6055J3 Features Low VCE(SAT) Low RCE(SAT), RCE(SAT)=50 m (typically) at IC=5A Low operating collector voltage Excellent current gain characteristics at very low VCE Suitable for low dropout voltage applicati

Otros transistores... BTD4512F3 , BTD5213J3 , BTD5213L3 , BTD5213M3 , BTD5510F3 , BTD5765B3 , BTD5974B3 , BTD6055J3 , 2SC5198 , BTD7520J3 , BTD7521E3 , BTD7521H8 , BTD7521J3 , BTD8530F3 , BTD9065D3 , BTN3A60T3 , BTN853L3 .

History: BTD1768S3 | BTD5510F3 | BDW63B | BTD1782N3 | BSS42 | 2SC4617 | HA22G

 

 

 

 

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