BTD6055M3 Todos los transistores

 

BTD6055M3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTD6055M3
   Código: D6055
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 15 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 50 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
   Paquete / Cubierta: SOT-89
 

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BTD6055M3 Datasheet (PDF)

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BTD6055M3

Spec. No. : C659M3 Issued Date : 2008.06.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 NPN Epitaxial Planar High Current (High Performance) Transistor BTD6055M3Features Low VCE(SAT) Low RCE(SAT), RCE(SAT)=50 m(typically) at IC=5A Low operating collector voltage Excellent current gain characteristics at very low VCE Suitable for low drop

 7.1. Size:235K  cystek
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BTD6055M3

Spec. No. : C659J3 Issued Date : 2008.06.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTD6055J3 Features Low VCE(SAT) Low RCE(SAT), RCE(SAT)=50 m(typically) at IC=5A Low operating collector voltage Excellent current gain characteristics at very low VCE Suitable for low dropout voltage applicati

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