BTN3501J3 Todos los transistores

 

BTN3501J3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTN3501J3
   Código: N3501
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 130 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de BTN3501J3

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BTN3501J3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:259K  cystek
 btn3501j3.pdf pdf_icon

BTN3501J3

Spec. No. : C606J3 Issued Date : 2003.10.07 CYStech Electronics Corp.Revised Date :2013.10.30 Page No. : 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 80VIC 8ABTN3501J3 VCESAT 0.6V (max.) Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTN3501J3TO-252(DPAK) BBase CCol

 7.1. Size:218K  cystek
 btn3501i3.pdf pdf_icon

BTN3501J3

Spec. No. : C606I3 Issued Date : 2003.11.25 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2009.02.04 Page No. : 1/5 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 80VIC 8ABTN3501I3 RCESAT 60m Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline TO-251 BTN3501I3 BBase CCollector B

 7.2. Size:167K  cystek
 btn3501e3.pdf pdf_icon

BTN3501J3

Spec. No. : C606E3 Issued Date : 2004.08.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date : Page No. : 1/4 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTN3501E3 Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics Symbol Outline BTN3501E3 TO-220AB BBase CCollector EEmitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25C) Parameter S

 7.3. Size:195K  cystek
 btn3501f3.pdf pdf_icon

BTN3501J3

Spec. No. : C606F3 Issued Date : 2005.11.24 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2005.11.30 Page No. : 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTN3501F3 Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics Pb-free package Symbol Outline BTN3501F3 TO-263 CBE BBase B C E CCollector EEmitter Absolute

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... BTN2222AL3 , BTN2222AN3 , BTN2369A3 , BTN2369N3 , BTN2369S3 , BTN3501E3 , BTN3501F3 , BTN3501I3 , 2SD882 , BTN3904A3 , BTN3904N3 , BTN3904S3 , BTN5551A3 , BTN5551K3 , BTN6427N3 , BTN6718A3 , BTN6718D3 .

History: 2SC1515K | BUX33 | HEPS5021 | D26P2 | ME0411 | BF341 | ESM10040

 

 
Back to Top

 


 
.