BTN3501J3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTN3501J3  📄📄 

Código: N3501

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 130 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO-252

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BTN3501J3 datasheet

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BTN3501J3

Spec. No. C606J3 Issued Date 2003.10.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.30 Page No. 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 80V IC 8A BTN3501J3 VCESAT 0.6V (max.) Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTN3501J3 TO-252(DPAK) B Base C Col

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BTN3501J3

Spec. No. C606I3 Issued Date 2003.11.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/5 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 80V IC 8A BTN3501I3 RCESAT 60m Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline TO-251 BTN3501I3 B Base C Collector B

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BTN3501J3

Spec. No. C606E3 Issued Date 2004.08.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/4 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTN3501E3 Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics Symbol Outline BTN3501E3 TO-220AB B Base C Collector E Emitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter S

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BTN3501J3

Spec. No. C606F3 Issued Date 2005.11.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2005.11.30 Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTN3501F3 Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics Pb-free package Symbol Outline BTN3501F3 TO-263 C B E B Base B C E C Collector E Emitter Absolute

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