BTN3501J3 - описание и поиск аналогов

 

BTN3501J3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTN3501J3

Маркировка: N3501

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 130 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO-252

 Аналоги (замена) для BTN3501J3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTN3501J3 даташит

 ..1. Size:259K  cystek
 btn3501j3.pdf pdf_icon

BTN3501J3

Spec. No. C606J3 Issued Date 2003.10.07 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.10.30 Page No. 1/7 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 80V IC 8A BTN3501J3 VCESAT 0.6V (max.) Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline BTN3501J3 TO-252(DPAK) B Base C Col

 7.1. Size:218K  cystek
 btn3501i3.pdf pdf_icon

BTN3501J3

Spec. No. C606I3 Issued Date 2003.11.25 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2009.02.04 Page No. 1/5 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BVCEO 80V IC 8A BTN3501I3 RCESAT 60m Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics RoHS compliant package Symbol Outline TO-251 BTN3501I3 B Base C Collector B

 7.2. Size:167K  cystek
 btn3501e3.pdf pdf_icon

BTN3501J3

Spec. No. C606E3 Issued Date 2004.08.18 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/4 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTN3501E3 Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics Symbol Outline BTN3501E3 TO-220AB B Base C Collector E Emitter B C E Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter S

 7.3. Size:195K  cystek
 btn3501f3.pdf pdf_icon

BTN3501J3

Spec. No. C606F3 Issued Date 2005.11.24 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2005.11.30 Page No. 1/6 Low Vcesat NPN Epitaxial Planar Transistor BTN3501F3 Features Low VCE(sat) High BVCEO Excellent current gain characteristics Pb-free package Symbol Outline BTN3501F3 TO-263 C B E B Base B C E C Collector E Emitter Absolute

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: BTN2222AL3, BTN2222AN3, BTN2369A3, BTN2369N3, BTN2369S3, BTN3501E3, BTN3501F3, BTN3501I3, B647, BTN3904A3, BTN3904N3, BTN3904S3, BTN5551A3, BTN5551K3, BTN6427N3, BTN6718A3, BTN6718D3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.