BTN13003D3 Todos los transistores

 

BTN13003D3 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BTN13003D3
   Código: 13003
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W
   Tensión colector-base (Vcb): 700 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 450 V
   Tensión emisor-base (Veb): 9 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 5 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 18
   Paquete / Cubierta: TO-126ML
 

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BTN13003D3 Datasheet (PDF)

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BTN13003D3

Spec. No. : C827D3 Issued Date : 2012.04.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN13003D3Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free package Symbol Outline BTN13003D3 TO-126ML BBase CCollector EEmitter E C B Abs

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BTN13003D3

Spec. No. : C827T3 Issued Date : 2012.04.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN13003T3Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free package Symbol Outline BTN13003T3 TO-126 BBase CCollector EEmitter B C E Absol

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