BTN13003D3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BTN13003D3  📄📄 

Código: 13003

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 20 W

Tensión colector-base (Vcb): 700 V

Tensión colector-emisor (Vce): 450 V

Tensión emisor-base (Veb): 9 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 5 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 18

Encapsulados: TO-126ML

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BTN13003D3 datasheet

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BTN13003D3

Spec. No. C827D3 Issued Date 2012.04.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN13003D3 Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free package Symbol Outline BTN13003D3 TO-126ML B Base C Collector E Emitter E C B Abs

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BTN13003D3

Spec. No. C827T3 Issued Date 2012.04.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN13003T3 Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free package Symbol Outline BTN13003T3 TO-126 B Base C Collector E Emitter B C E Absol

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