BTN13003D3 - описание и поиск аналогов

 

BTN13003D3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BTN13003D3

Маркировка: 13003

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 18

Корпус транзистора: TO-126ML

 Аналоги (замена) для BTN13003D3

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTN13003D3 даташит

 ..1. Size:250K  cystek
 btn13003d3.pdf pdf_icon

BTN13003D3

Spec. No. C827D3 Issued Date 2012.04.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN13003D3 Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free package Symbol Outline BTN13003D3 TO-126ML B Base C Collector E Emitter E C B Abs

 6.1. Size:256K  cystek
 btn13003t3.pdf pdf_icon

BTN13003D3

Spec. No. C827T3 Issued Date 2012.04.09 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN13003T3 Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free package Symbol Outline BTN13003T3 TO-126 B Base C Collector E Emitter B C E Absol

Другие транзисторы: BTN3904S3, BTN5551A3, BTN5551K3, BTN6427N3, BTN6718A3, BTN6718D3, BTN8050A3, BTN8050BA3, 2N2222, BTN13003T3, BTNA06N3, BTNA14A3, BTNA14N3, BTNA42A3, BTNA44A3, BTNA44M3, BTNA44N3

 

 

 

 

↑ Back to Top
.