Справочник транзисторов. BTN13003D3

 

Биполярный транзистор BTN13003D3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: BTN13003D3
   Маркировка: 13003
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 18
   Корпус транзистора: TO-126ML
 

 Аналог (замена) для BTN13003D3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

BTN13003D3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:250K  cystek
btn13003d3.pdfpdf_icon

BTN13003D3

Spec. No. : C827D3 Issued Date : 2012.04.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN13003D3Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free package Symbol Outline BTN13003D3 TO-126ML BBase CCollector EEmitter E C B Abs

 6.1. Size:256K  cystek
btn13003t3.pdfpdf_icon

BTN13003D3

Spec. No. : C827T3 Issued Date : 2012.04.09 CYStech Electronics Corp.Revised Date : Page No. : 1/7 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTN13003T3Features High breakdown voltage, V =450V (min.) CEO High collector current, I =1.5A (DC) C(max) Pb-free package Symbol Outline BTN13003T3 TO-126 BBase CCollector EEmitter B C E Absol

Другие транзисторы... BTN3904S3 , BTN5551A3 , BTN5551K3 , BTN6427N3 , BTN6718A3 , BTN6718D3 , BTN8050A3 , BTN8050BA3 , C1815 , BTN13003T3 , BTNA06N3 , BTNA14A3 , BTNA14N3 , BTNA42A3 , BTNA44A3 , BTNA44M3 , BTNA44N3 .

 

 
Back to Top

 


 
.