BTNA14A3 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BTNA14A3
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.625 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 125 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 20000
Encapsulados: TO-92
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BTNA14A3 datasheet
btna14a3.pdf
Spec. No. C214A3 Issued Date 2003.03.27 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2005.11.30 Page No. 1/4 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTNA14A3 Description The BTNA14A3 is a darlington amplifier transistor Complementary to BTPA64A3. Symbol Outline BTNA14A3 TO-92 C B E B Base C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings (
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Spec. No. C214N3-H Issued Date 2002.05.11 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2006.07.11 Page No. 1/5 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTNA14N3 Description The BTNA14N3 is a darlington amplifier transistor Complementary to BTPA64N3. Equivalent Circuit Outline BTNA14N3 SOT-23 C B E B Base C Collector E Emitter Absolute Ma
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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