Биполярный транзистор BTNA14A3 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: BTNA14A3
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20000
Корпус транзистора: TO-92
BTNA14A3 Datasheet (PDF)
btna14a3.pdf
Spec. No. : C214A3 Issued Date : 2003.03.27 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2005.11.30 Page No. : 1/4 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTNA14A3Description The BTNA14A3 is a darlington amplifier transistor Complementary to BTPA64A3. Symbol Outline BTNA14A3 TO-92 C B E BBase CCollector EEmitter Absolute Maximum Ratings (
btna14n3.pdf
Spec. No. : C214N3-H Issued Date : 2002.05.11 CYStech Electronics Corp.Revised Date : 2006.07.11 Page No. : 1/5 General Purpose NPN Epitaxial Planar Transistor BTNA14N3Description The BTNA14N3 is a darlington amplifier transistor Complementary to BTPA64N3. Equivalent Circuit Outline BTNA14N3 SOT-23 C B E BBase CCollector EEmitter Absolute Ma
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
