HBNP45S6R Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HBNP45S6R

Código: 46

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 7(6) V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80(60) MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2(4) pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 200

Encapsulados: SOT-363

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HBNP45S6R datasheet

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HBNP45S6R

Spec. No. C901S6R Issued Date 2004.04.19 CYStech Electronics Corp. Revised Date 2013.12.26 Page No. 1/7 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP45S6R Features Includes a BTC2412 chip and a BTA1037 chip in a SOT-363 package. Mounting possible with SOT-323 automatic mounting machines. Transistor elements are independe

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HBNP45S6R

Spec. No. C901C6 Issued Date 2012.09.28 CYStech Electronics Corp. Revised Date Page No. 1/7 General Purpose NPN / PNP Epitaxial Planar Transistors (dual transistors) HBNP45C6 Features Includes a BTC2412 chip and a BTA1037 chip in a SOT-563 package. Mounting possible with SOT-523 automatic mounting machines. Transistor elements are independent, eliminati

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