NE68035 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: NE68035
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.29 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 10 V
Tensión emisor-base (Veb): 1.5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.035 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 10000 MHz
Ganancia de corriente contínua (hfe): 50
Paquete / Cubierta: MICRO-X
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar NE68035
NE68035 Datasheet (PDF)
ne680xx 2sc5013 2sc5008 2sc4228 2sc3585 2sc3587 2sc4095.pdf
NEC's NPN SILICON HIGH NE680FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 10 GHz LOW NOISE FIGURE:1.7 dB at 2 GHz2.6 dB at 4 GHz HIGH ASSOCIATED GAIN:12.5 dB at 2 GHz8.0 dB at 4 GHz EXCELLENT LOW VOLTAGE00 (CHIP) 35 (MICRO-X)LOW CURRENT PERFORMANCEDESCRIPTIONNEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors isdesigned for l
ne680series.pdf
NEC's NPN SILICON HIGH NE680FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT: fT = 10 GHz LOW NOISE FIGURE: 1.7 dB at 2 GHz 2.6 dB at 4 GHz HIGH ASSOCIATED GAIN: 12.5 dB at 2 GHz 8.0 dB at 4 GHz EXCELLENT LOW VOLTAGE00 (CHIP) 35 (MICRO-X) LOW CURRENT PERFORMANCEDESCRIPTIONNEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors is de-sig
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050