NE68035. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NE68035

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.29 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 50

Корпус транзистора: MICRO-X

 Аналоги (замена) для NE68035

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

NE68035 даташит

 9.1. Size:247K  nec
 ne680xx 2sc5013 2sc5008 2sc4228 2sc3585 2sc3587 2sc4095.pdf pdf_icon

NE68035

NEC's NPN SILICON HIGH NE680 FREQUENCY TRANSISTOR SERIES FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT fT = 10 GHz LOW NOISE FIGURE 1.7 dB at 2 GHz 2.6 dB at 4 GHz HIGH ASSOCIATED GAIN 12.5 dB at 2 GHz 8.0 dB at 4 GHz EXCELLENT LOW VOLTAGE 00 (CHIP) 35 (MICRO-X) LOW CURRENT PERFORMANCE DESCRIPTION NEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors is designed for l

 9.2. Size:625K  nec
 ne680series.pdf pdf_icon

NE68035

NEC's NPN SILICON HIGH NE680 FREQUENCY TRANSISTOR SERIES FEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT fT = 10 GHz LOW NOISE FIGURE 1.7 dB at 2 GHz 2.6 dB at 4 GHz HIGH ASSOCIATED GAIN 12.5 dB at 2 GHz 8.0 dB at 4 GHz EXCELLENT LOW VOLTAGE 00 (CHIP) 35 (MICRO-X) LOW CURRENT PERFORMANCE DESCRIPTION NEC's NE680 series of NPN epitaxial silicon transistors is de- sig

Другие транзисторы: 2SC5858, 2SC6118LS, MJW18020G, NE68000, NE68018, NE68019, NE68030, NE68033, D882P, NE68039, 2SC5618, 2SC5253, 2SC5855A, H1061, 2SD5703, H945R, H945Q