2N644 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2N644
Material: Ge
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.12 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 2 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 120 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 40 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 20
Paquete / Cubierta: TO9
- Selección de transistores por parámetros
2N644 Datasheet (PDF)
2n6449 2n6450.pdf

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-24B-24 01/992N6449, 2N6450N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C High Voltage2N6449 2N6450Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 VReverse Gate Drain Voltage 300 V 200 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mAContinuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mWPower Derati
Otros transistores... 2N6433 , 2N6436 , 2N6436A , 2N6437 , 2N6437A , 2N6438 , 2N6438A , 2N6439 , S8050 , 2N6441 , 2N6442 , 2N6443 , 2N6444 , 2N6445 , 2N6446 , 2N6447 , 2N6448 .
History: 3DG2413K | 2SA795A | 2SA1706T-AN | RT3YB7M | BC848CW-G | 2SA815
History: 3DG2413K | 2SA795A | 2SA1706T-AN | RT3YB7M | BC848CW-G | 2SA815



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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