Биполярный транзистор 2N644 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2N644
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 120 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 40 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20
Корпус транзистора: TO9
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2N644 Datasheet (PDF)
2n6449 2n6450.pdf

Databook.fxp 1/13/99 2:09 PM Page B-24B-24 01/992N6449, 2N6450N-Channel Silicon Junction Field-Effect TransistorAbsolute maximum ratings at TA = 25C High Voltage2N6449 2N6450Reverse Gate Source Voltage 300 V 200 VReverse Gate Drain Voltage 300 V 200 VContinuous Forward Gate Current 10 mA 10 mAContinuous Device Power Dissipation 800 mW 800 mWPower Derati
Другие транзисторы... 2N6433 , 2N6436 , 2N6436A , 2N6437 , 2N6437A , 2N6438 , 2N6438A , 2N6439 , S8050 , 2N6441 , 2N6442 , 2N6443 , 2N6444 , 2N6445 , 2N6446 , 2N6447 , 2N6448 .
History: 2SA795A | BC848CW-G | 2SA815 | 3DG2413K | RT3YB7M | 2SA1706T-AN
History: 2SA795A | BC848CW-G | 2SA815 | 3DG2413K | RT3YB7M | 2SA1706T-AN



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
irf540 datasheet | irf530 | 2n3565 | irf530n | pn2222a datasheet | tip41c transistor | 2n5087 | ksa1381