3DD3997 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD3997
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 250 W
Tensión colector-base (Vcb): 1200 V
Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 30 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hFE): 3
Encapsulados: TO3P
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3DD3997 datasheet
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NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD3997 MAIN CHARACTERISTICS Package I 30A C V 800V CEO P (TO-3P LH ) 250W C APPLICATIONS High frequency switching power supply High frequency power transform Commo
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isc Silicon NPN Power Transistor 3DD3997 DESCRIPTION High Switching Speed High Breakdown Voltage- V = 1200V(Min) (BR)CBO 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T
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History: GT309G
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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