3DD3997 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 3DD3997  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 3

Корпус транзистора: TO3P

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 3DD3997

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3DD3997 даташит

 ..1. Size:550K  jilin sino
 3dd3997.pdf pdf_icon

3DD3997

NPN HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR R 3DD3997 MAIN CHARACTERISTICS Package I 30A C V 800V CEO P (TO-3P LH ) 250W C APPLICATIONS High frequency switching power supply High frequency power transform Commo

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
 3dd3997.pdf pdf_icon

3DD3997

isc Silicon NPN Power Transistor 3DD3997 DESCRIPTION High Switching Speed High Breakdown Voltage- V = 1200V(Min) (BR)CBO 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation. APPLICATIONS High frequency switching power supply High frequency power transform Commonly power amplifier circuit ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

Другие транзисторы: 3DD4242DT, 3DD4242DI, 3DD4242DM, 3DD4242DUI, 3DD13002ST, 3DD13002SM, 3DD13002SMS, 3DD3402, TIP31C, 3DD4120PLT, 3DD4120PLM, KT922A, KT922B, KT922V, KT922G, KT922D, NTE128