3CD2051 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CD2051
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 180 V
Tensión colector-emisor (Vce): 160 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO126F
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3CD2051 datasheet
3cd2051.pdf
3CD2051 PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Low frequency power amplifier applications. , Features Low V ,High V . CE(sat) CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -180 V CBO V -160 V CEO V -6.0 V EBO I -1.5
3cd205.pdf
3CD205 PNP PCM TC=25 5 W ICM 2 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=1mA 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 45 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=50V 1.0 mA ICEO VCE=30V 1.0 mA IEBO VEB=4V 1.0 mA VBEsat 1.2 IC=0.5A V IB=0.1A VCEsat 0.8
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Liste
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BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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