3CD2051. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3CD2051
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60
Корпус транзистора: TO126F
Аналоги (замена) для 3CD2051
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3CD2051 даташит
3cd2051.pdf
3CD2051 PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Low frequency power amplifier applications. , Features Low V ,High V . CE(sat) CEO /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -180 V CBO V -160 V CEO V -6.0 V EBO I -1.5
3cd205.pdf
3CD205 PNP PCM TC=25 5 W ICM 2 A Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=1mA 50 V V(BR)CEO ICE=1mA 45 V V(BR)EBO IEB=1mA 5.0 V ICBO VCB=50V 1.0 mA ICEO VCE=30V 1.0 mA IEBO VEB=4V 1.0 mA VBEsat 1.2 IC=0.5A V IB=0.1A VCEsat 0.8
Другие транзисторы: 2SD2603, 2SD882B, 2SD882D, 2SD882I, 2SD882L, 2SD882N, 2SD882T, 2SD965T, C3198, 3CD910, 3CG751, 3DD5023, 3DD5024, 8050M, 8050T, 8050W, 8550M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370


