3CD910 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3CD910
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 10 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 5 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 100
Encapsulados: TO126F
Búsqueda de reemplazo de 3CD910
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
3CD910 datasheet
3cd910.pdf
3CD910 PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency amplifier, low voltage regulator. , h FE Features Low saturation voltage, excellent h linearity and high h . FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol R
Otros transistores... 2SD882B , 2SD882D , 2SD882I , 2SD882L , 2SD882N , 2SD882T , 2SD965T , 3CD2051 , 2SC945 , 3CG751 , 3DD5023 , 3DD5024 , 8050M , 8050T , 8050W , 8550M , 8550T .
History: MPS5858 | MPS5449
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet