3CD910. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3CD910
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100
Корпус транзистора: TO126F
Аналоги (замена) для 3CD910
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3CD910 даташит
3cd910.pdf
3CD910 PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Audio frequency amplifier, low voltage regulator. , h FE Features Low saturation voltage, excellent h linearity and high h . FE FE /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol R
Другие транзисторы: 2SD882B, 2SD882D, 2SD882I, 2SD882L, 2SD882N, 2SD882T, 2SD965T, 3CD2051, 2SC945, 3CG751, 3DD5023, 3DD5024, 8050M, 8050T, 8050W, 8550M, 8550T
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet

