3CG751 Todos los transistores

 

3CG751 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 3CG751
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 50 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 80 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: TO92LM
 

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3CG751 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  lge
 3cg751 to-92mod.pdf pdf_icon

3CG751

3CG751 TO-92MOD Transistor (PNP)TO-92MOD1.EMITTER 1 2 2.COLLECTOR 3 3.BASE Features5.8006.200 High power amplifier Low VCE(sat) 8.4008.8000.9001.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.400 Symbol Parameter Value Units0.60013.800VCBO Collector-Base Voltage -30 V14.200VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -5

 ..2. Size:166K  blue-rocket-elect
 3cg751.pdf pdf_icon

3CG751

3CG751 PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High frequency low power amplifier applications. :, Features:. Excellent high current linearity, low saturation voltage. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -

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History: 2SC534

 

 
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