3CG751 Todos los transistores

 

3CG751 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 3CG751

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.9 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 50 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 80 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: TO92LM

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3CG751 datasheet

 ..1. Size:172K  lge
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3CG751

3CG751 TO-92MOD Transistor (PNP) TO-92MOD 1.EMITTER 1 2 2.COLLECTOR 3 3.BASE Features 5.800 6.200 High power amplifier Low VCE(sat) 8.400 8.800 0.900 1.100 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.400 Symbol Parameter Value Units0.600 13.800 VCBO Collector-Base Voltage -30 V 14.200 VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -5

 ..2. Size:166K  blue-rocket-elect
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3CG751

3CG751 PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose High frequency low power amplifier applications. , Features . Excellent high current linearity, low saturation voltage. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -

Otros transistores... 2SD882D , 2SD882I , 2SD882L , 2SD882N , 2SD882T , 2SD965T , 3CD2051 , 3CD910 , A1013 , 3DD5023 , 3DD5024 , 8050M , 8050T , 8050W , 8550M , 8550T , 8550W .

History: MPS5855

 

 

 

 

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