Справочник транзисторов. 3CG751

 

Биполярный транзистор 3CG751 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 3CG751
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO92LM
 

 Аналог (замена) для 3CG751

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG751 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:172K  lge
 3cg751 to-92mod.pdf pdf_icon

3CG751

3CG751 TO-92MOD Transistor (PNP)TO-92MOD1.EMITTER 1 2 2.COLLECTOR 3 3.BASE Features5.8006.200 High power amplifier Low VCE(sat) 8.4008.8000.9001.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.400 Symbol Parameter Value Units0.60013.800VCBO Collector-Base Voltage -30 V14.200VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -5

 ..2. Size:166K  blue-rocket-elect
 3cg751.pdf pdf_icon

3CG751

3CG751 PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High frequency low power amplifier applications. :, Features:. Excellent high current linearity, low saturation voltage. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -

Другие транзисторы... 2SD882D , 2SD882I , 2SD882L , 2SD882N , 2SD882T , 2SD965T , 3CD2051 , 3CD910 , 2SD313 , 3DD5023 , 3DD5024 , 8050M , 8050T , 8050W , 8550M , 8550T , 8550W .

History: 2SAR552P5 | 92PU51 | 2SD669C | 2SA1352C | MJD31CT4-A

 

 
Back to Top

 


 
.