Биполярный транзистор 3CG751 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 3CG751
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO92LM
3CG751 Datasheet (PDF)
3cg751 to-92mod.pdf
3CG751 TO-92MOD Transistor (PNP)TO-92MOD1.EMITTER 1 2 2.COLLECTOR 3 3.BASE Features5.8006.200 High power amplifier Low VCE(sat) 8.4008.8000.9001.100MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.400 Symbol Parameter Value Units0.60013.800VCBO Collector-Base Voltage -30 V14.200VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -5
3cg751.pdf
3CG751 PNP /SILICON PNP TRANSISTOR : Purpose: High frequency low power amplifier applications. :, Features:. Excellent high current linearity, low saturation voltage. /Absolute maximum ratings(Ta=25) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050