3CG751 - описание и поиск аналогов

 

3CG751. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 3CG751

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO92LM

 Аналоги (замена) для 3CG751

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

3CG751 даташит

 ..1. Size:172K  lge
 3cg751 to-92mod.pdf pdf_icon

3CG751

3CG751 TO-92MOD Transistor (PNP) TO-92MOD 1.EMITTER 1 2 2.COLLECTOR 3 3.BASE Features 5.800 6.200 High power amplifier Low VCE(sat) 8.400 8.800 0.900 1.100 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 0.400 Symbol Parameter Value Units0.600 13.800 VCBO Collector-Base Voltage -30 V 14.200 VCEO Collector-Emitter Voltage -30 V VEBO Emitter-Base Voltage -5

 ..2. Size:166K  blue-rocket-elect
 3cg751.pdf pdf_icon

3CG751

3CG751 PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose High frequency low power amplifier applications. , Features . Excellent high current linearity, low saturation voltage. /Absolute maximum ratings(Ta=25 ) Symbol Rating Unit V -30 V CBO V -

Другие транзисторы: 2SD882D, 2SD882I, 2SD882L, 2SD882N, 2SD882T, 2SD965T, 3CD2051, 3CD910, A1013, 3DD5023, 3DD5024, 8050M, 8050T, 8050W, 8550M, 8550T, 8550W

 

 

 

 

↑ Back to Top
.