3DD5023 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 3DD5023
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 40 W
Tensión colector-base (Vcb): 1500 V
Tensión colector-emisor (Vce): 800 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 2 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 10
Encapsulados: TO220F
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3DD5023 datasheet
3dd5023.pdf
3DD5023 NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Application Color TV Horizontal deflection output applications , Features High breakdown voltage Low drain current High switching speed Low saturation voltage Excellent current characte
3dd5023p.pdf
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5023 FOR LOW FREQUENCY R 3DD5023P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-220HF 1500 V BV CBO 6 A I C 5 V(max) V CE(sat) 1 s(max) t f APPLICATIONS Horizontal deflection output for color TV. 1 2 3 FEA
3dd5024p.pdf
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5023 FOR LOW FREQUENCY R 3DD5024P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-220HF 1500 V BV CBO 8A I C 3V(max) V CE(sat) 1 s(max) t f APPLICATIONS Horizontal deflection output for color TV. 1 2 3 FEATU
Otros transistores... 2SD882I , 2SD882L , 2SD882N , 2SD882T , 2SD965T , 3CD2051 , 3CD910 , 3CG751 , 2SB817 , 3DD5024 , 8050M , 8050T , 8050W , 8550M , 8550T , 8550W , 9011M .
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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