3DD5023. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 3DD5023
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10
Корпус транзистора: TO220F
Аналоги (замена) для 3DD5023
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
3DD5023 даташит
3dd5023.pdf
3DD5023 NPN /SILICON NPN TRANSISTOR Application Color TV Horizontal deflection output applications , Features High breakdown voltage Low drain current High switching speed Low saturation voltage Excellent current characte
3dd5023p.pdf
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5023 FOR LOW FREQUENCY R 3DD5023P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-220HF 1500 V BV CBO 6 A I C 5 V(max) V CE(sat) 1 s(max) t f APPLICATIONS Horizontal deflection output for color TV. 1 2 3 FEA
3dd5024p.pdf
CASE-RATED BIPOLAR TRANSISTOR FOR TYPE 3DD5023 FOR LOW FREQUENCY R 3DD5024P Package MAIN CHARACTERISTICS TO-220HF 1500 V BV CBO 8A I C 3V(max) V CE(sat) 1 s(max) t f APPLICATIONS Horizontal deflection output for color TV. 1 2 3 FEATU
Другие транзисторы: 2SD882I, 2SD882L, 2SD882N, 2SD882T, 2SD965T, 3CD2051, 3CD910, 3CG751, 2SB817, 3DD5024, 8050M, 8050T, 8050W, 8550M, 8550T, 8550W, 9011M
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent | 2sa1370 | 4508nh mosfet | a94 transistor | c5149 datasheet





