STBD138T Todos los transistores

 

STBD138T . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STBD138T
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 12.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 40
   Paquete / Cubierta: TO126
     - Selección de transistores por parámetros

 

STBD138T Datasheet (PDF)

 ..1. Size:367K  semtech
 stbd136t stbd138t stbd140t.pdf pdf_icon

STBD138T

BD136T / BD138T / BD140T PNP PLASTIC POWER TRANSISTOR Medium power linear and switching applications ECB TO-126 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Value Parameter Symbol Unit BD136T BD138T BD140T-VCBO Collector Base Voltage 45 60 100 V-VCEO Collector Emitter Voltage 45 60 80 V-VEBO Emitter Base Voltage 5 VCollector Current -IC 1.5 ABase Cur

 8.1. Size:454K  semtech
 stbd135t stbd137t stbd139t.pdf pdf_icon

STBD138T

BD135T / BD137T / BD139T NPN SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are designed as Audio Amplifier and Drivers Utilizing. ECB TO-126 Plastic Package OAbsolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Value Parameter Symbol Unit BD135T BD137T BD139TCollector Emitter Voltage VCEO 45 60 80 VCollector Emitter Voltage ( RBE = 1 K) VCER 45 60 100 VCollector Base Vo

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , TIP31 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: MJ13014 | HA7533 | 5302D | GA4F3P | NTE172A | RT1N431S | 2SC2854

 

 
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