STBD910 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STBD910  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 90 W

Tensión colector-base (Vcb): 80 V

Tensión colector-emisor (Vce): 80 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 3 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 40

Encapsulados: TO220

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STBD910 datasheet

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STBD910

ST BD910 / ST BD912 PNP Complementary Silicon Power Transistors TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Value Parameter Symbol Unit ST BD910 ST BD912 Collector Base Voltage -VCBO 80 100 V Collector Emitter Voltage -VCEO 80 100 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current -IC 15 A Base Currentt -IB 5 A O Total Power Dissipation @ TC 25 C Ptot 9

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STBD910

ST BD909 / ST BD911 NPN Complementary Silicon Power Transistors TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Value Parameter Symbol Unit ST BD909 ST BD911 Collector Base Voltage VCBO 80 100 V Collector Emitter Voltage VCEO 80 100 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current IC 15 A Base Currentt IB 5 A O Total Power Dissipation @ TC 25 C Ptot 90 W

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