STBDW42 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STBDW42
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
Tensión colector-base (Vcb): 100 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 4 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 200 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
Empaquetado / Estuche: TO220
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar STBDW42
STBDW42 Datasheet (PDF)
1.1. stbdw42.pdf 
Size:481K _semtech
ST BDW42 NPN Silicon Planar Darlington Power Transistors General Purpose and Low Speed Switching Application TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 100 V Collector Base Voltage VCBO 100 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current – Continuous IC 15 A Base Currentt IB 0.5 A O Total Powe
4.1. stbdw47.pdf Size:481K _semtech
ST BDW47 PNP Silicon Planar Darlington Power Transistor General purpose and low speed switching application TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage -VCEO 100 V Collector Base Voltage -VCBO 100 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current – Continuous -IC 15 A Base Currentt -IB 0.5 A O Total P
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