STBDW42. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STBDW42

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 200 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1000

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для STBDW42

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

STBDW42 даташит

 ..1. Size:481K  semtech
 stbdw42.pdf pdf_icon

STBDW42

ST BDW42 NPN Silicon Planar Darlington Power Transistors General Purpose and Low Speed Switching Application TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 100 V Collector Base Voltage VCBO 100 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current Continuous IC 15 A Base Currentt IB 0.5 A O Total Powe

 8.1. Size:481K  semtech
 stbdw47.pdf pdf_icon

STBDW42

ST BDW47 PNP Silicon Planar Darlington Power Transistor General purpose and low speed switching application TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage -VCEO 100 V Collector Base Voltage -VCBO 100 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current Continuous -IC 15 A Base Currentt -IB 0.5 A O Total P

Другие транзисторы: STBD137T, STBD138T, STBD139T, STBD140T, STBD909, STBD910, STBD911, STBD912, A42, STBDW47, STH1061, STTIP122, STTIP31C, STTIP32C, STTIP42C, FJAF6806D, FJAF6808D