STBDW47 Todos los transistores

 

STBDW47 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STBDW47
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 85 W
   Tensión colector-base (Vcb): 100 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 4 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 300 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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STBDW47 datasheet

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STBDW47

ST BDW47 PNP Silicon Planar Darlington Power Transistor General purpose and low speed switching application TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage -VCEO 100 V Collector Base Voltage -VCBO 100 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V Collector Current Continuous -IC 15 A Base Currentt -IB 0.5 A O Total P

 8.1. Size:481K  semtech
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STBDW47

ST BDW42 NPN Silicon Planar Darlington Power Transistors General Purpose and Low Speed Switching Application TO-220 Plastic Package O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Emitter Voltage VCEO 100 V Collector Base Voltage VCBO 100 V Emitter Base Voltage VEBO 5 V Collector Current Continuous IC 15 A Base Currentt IB 0.5 A O Total Powe

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History: BC818-16W

 

 

 


 
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