2SD0814A Todos los transistores

 

2SD0814A . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2SD0814A
   Código: LQ_LR_LS
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 185 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 185 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2.3 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 90
   Paquete / Cubierta: SC59
 

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2SD0814A Datasheet (PDF)

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2SD0814A

Transistors2SD0814A (2SD814A)Silicon NPN epitaxial planar typeFor high breakdown voltage low-frequency and low-noiseUnit: mmamplification0.40+0.100.050.16+0.100.063 Features High collector-emitter voltage (Base open) VCEO Low noise voltage NV1 2 Mini type package, allowing downsizing of the equipment and(0.95) (0.95)automatic insertion through

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History: 2SD1243 | BCW92 | BCX70KLT1 | 2SD890 | LMUN5216T1G | PDTC143XE | BC817W

 

 
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