2SD0814A Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2SD0814A

Código: LQ_LR_LS

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W

Tensión colector-base (Vcb): 185 V

Tensión colector-emisor (Vce): 185 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 150 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.3 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 90

Encapsulados: SC59

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2SD0814A datasheet

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2SD0814A

Transistors 2SD0814A (2SD814A) Silicon NPN epitaxial planar type For high breakdown voltage low-frequency and low-noise Unit mm amplification 0.40+0.10 0.05 0.16+0.10 0.06 3 Features High collector-emitter voltage (Base open) VCEO Low noise voltage NV 1 2 Mini type package, allowing downsizing of the equipment and (0.95) (0.95) automatic insertion through

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