L2SC2412KRMT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: L2SC2412KRMT1G
   Código: BR
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 2 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: SC74

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar L2SC2412KRMT1G

L2SC2412KRMT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:141K lrc
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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.L2SC2412KQMT1GS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteSeriesand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-L2SC2412KQMT1GORDERING INFORMATIONSeriesDevice Marking ShippingL2SC2

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconL2SC2412KQLT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site Seriesand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.L2SC2412KQLT1GORDERING INFORMATIONSeriesDevice Marking ShippingL2SC2412

4.2. Size:127K lrc
l2sc2412kqlt1g l2sc2412kqlt3g l2sc2412krlt1g l2sc2412krlt3g l2sc2412kslt1g l2sc2412kslt3g.pdf