L2SC2412KRMT1G - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор L2SC2412KRMT1G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: L2SC2412KRMT1G
   Маркировка: BR
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
   Корпус транзистора: SC74

Аналоги (замена) для L2SC2412KRMT1G

L2SC2412KRMT1G Datasheet (PDF)

..1. Size:141K lrc
l2sc2412krmt1g.pdf

L2SC2412KRMT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN Silicon We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.L2SC2412KQMT1GS- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique SiteSeriesand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.S-L2SC2412KQMT1GORDERING INFORMATIONSeriesDevice Marking ShippingL2SC2

4.1. Size:127K lrc
l2sc2412krlt1g.pdf

L2SC2412KRMT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.General Purpose TransistorsNPN SiliconL2SC2412KQLT1G We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site Seriesand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.L2SC2412KQLT1GORDERING INFORMATIONSeriesDevice Marking ShippingL2SC2412

4.2. Size:127K lrc
l2sc2412kqlt1g l2sc2412kqlt3g l2sc2412krlt1g l2sc2412krlt3g l2sc2412kslt1g l2sc2412kslt3g.pdf

L2SC2412KRMT1G