L2SD2114KWLT1G Todos los transistores

 

L2SD2114KWLT1G . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: L2SD2114KWLT1G
   Código: BW
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 12 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 350 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1200
   Paquete / Cubierta: SOT23
 

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L2SD2114KWLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  lrc
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L2SD2114KWLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Epitaxial planar typeNPN silicon transistor L2SD2114KVLT1G Series Features S-L2SD2114KVLT1G Series1) High DC current gain.hFE = 1200 (Typ.)32) High emitter-base voltage.VEBO =12V (Min.)3) Low VCE (sat). 1VCE (sat) = 0.18V (Typ.)2(IC / IB = 500mA / 20mA)4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SOT 23 (TO

 5.1. Size:106K  lrc
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L2SD2114KWLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Epitaxial planar typeNPN silicon transistorL2SD2114KVLT1G Series FeaturesS-L2SD2114KVLT1G Series1) High DC current gain.hFE = 1200 (Typ.)2) High emitter-base voltage.3VEBO =12V (Min.)3) Low VCE (sat).1VCE (sat) = 0.18V (Typ.)2(IC / IB = 500mA / 20mA)4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SOT 2

Otros transistores... L2SC4617QT1G , L2SC4617RT1G , L2SC4617ST1G , L2SC5635WT1G , L2SC5658QM3T5G , L2SC5658RM3T5G , L2SD1781KRLT1G , L2SD2114KVLT1G , 2SC2240 , L2SD882P , L2SD882Q , L8050HPLT1G , L8050HQLT1G , L8050HRLT1G , L8050PLT1G , L8050QLT1G , L8550HPLT1G .

History: FZT600B | BFQ29P

 

 
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