Справочник транзисторов. L2SD2114KWLT1G

 

Биполярный транзистор L2SD2114KWLT1G Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: L2SD2114KWLT1G
   Маркировка: BW
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1200
   Корпус транзистора: SOT23
 

 Аналог (замена) для L2SD2114KWLT1G

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SD2114KWLT1G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:105K  lrc
 l2sd2114kwlt1g.pdf pdf_icon

L2SD2114KWLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Epitaxial planar typeNPN silicon transistor L2SD2114KVLT1G Series Features S-L2SD2114KVLT1G Series1) High DC current gain.hFE = 1200 (Typ.)32) High emitter-base voltage.VEBO =12V (Min.)3) Low VCE (sat). 1VCE (sat) = 0.18V (Typ.)2(IC / IB = 500mA / 20mA)4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SOT 23 (TO

 5.1. Size:106K  lrc
 l2sd2114kvlt1g.pdf pdf_icon

L2SD2114KWLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.Epitaxial planar typeNPN silicon transistorL2SD2114KVLT1G Series FeaturesS-L2SD2114KVLT1G Series1) High DC current gain.hFE = 1200 (Typ.)2) High emitter-base voltage.3VEBO =12V (Min.)3) Low VCE (sat).1VCE (sat) = 0.18V (Typ.)2(IC / IB = 500mA / 20mA)4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.SOT 2

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: TIP33A | TA1782 | 2SC4104 | TA1706 | KTX403U | CHEMB9GP | 2SC4251

 

 
Back to Top

 


 
.