L2SD2114KWLT1G datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: L2SD2114KWLT1G  📄📄 

Маркировка: BW

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 1200

Корпус транзистора: SOT23

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для L2SD2114KWLT1G

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

L2SD2114KWLT1G даташит

 ..1. Size:105K  lrc
 l2sd2114kwlt1g.pdf pdf_icon

L2SD2114KWLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Epitaxial planar type NPN silicon transistor L2SD2114KVLT1G Series Features S-L2SD2114KVLT1G Series 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 3 2) High emitter-base voltage. VEBO =12V (Min.) 3) Low VCE (sat). 1 VCE (sat) = 0.18V (Typ.) 2 (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. SOT 23 (TO

 5.1. Size:106K  lrc
 l2sd2114kvlt1g.pdf pdf_icon

L2SD2114KWLT1G

LESHAN RADIO COMPANY, LTD. Epitaxial planar type NPN silicon transistor L2SD2114KVLT1G Series Features S-L2SD2114KVLT1G Series 1) High DC current gain. hFE = 1200 (Typ.) 2) High emitter-base voltage. 3 VEBO =12V (Min.) 3) Low V CE (sat). 1 VCE (sat) = 0.18V (Typ.) 2 (IC / IB = 500mA / 20mA) 4) We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. SOT 2

Другие транзисторы: L2SC4617QT1G, L2SC4617RT1G, L2SC4617ST1G, L2SC5635WT1G, L2SC5658QM3T5G, L2SC5658RM3T5G, L2SD1781KRLT1G, L2SD2114KVLT1G, 2SA1015, L2SD882P, L2SD882Q, L8050HPLT1G, L8050HQLT1G, L8050HRLT1G, L8050PLT1G, L8050QLT1G, L8550HPLT1G