2N649-22 Todos los transistores

 

2N649-22 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2N649-22

Material: Ge

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.1 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 18 V

Tensión emisor-base (Veb): 2 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 120 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 12 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 50

Encapsulados: TO5

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2N649-22 datasheet

 9.1. Size:231K  rca
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2N649-22

Order this document MOTOROLA by 2N6487/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA NPN 2N6487 Complementary Silicon Plastic Power Transistors * 2N6488 PNP . . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications. DC Current Gain Specified to 15 Amperes 2N6490 hFE = 20 150 @ IC = 5.0 Adc hFE = 5.0 (Min) @ IC = 15 Adc 2N6491* Collector Emitter Sustaining

 9.4. Size:148K  motorola
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2N649-22

Order this document MOTOROLA by 2N6497/D SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA 2N6497 2N6498* High Voltage NPN Silicon Power *Motorola Preferred Device Transistors 5 AMPERE . . . designed for high voltage inverters, switching regulators and line operated POWER TRANSISTORS amplifier applications. Especially well suited for switching power supply applications. NPN SILICON High Collecto

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