DWC308 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DWC308  📄📄 

Código: 7L

Material: Si

Polaridad de transistor: Pre-Biased-NPN

Resistencia de Entrada Base R1 = 22 kOhm

Resistencia Base-Emisor R2 = 47 kOhm

Ratio típica de resistencia R1/R2 = 0.47

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.187 W

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT363

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DWC308 datasheet

 9.1. Size:289K  first silicon
 dwc301-dwc311 dwc317 dwc322 dwc323.pdf pdf_icon

DWC308

SEMICONDUCTOR DWC301 311 TECHNICAL DATA DWC317, 322, 323 Dual Bias ResistorTransistors NPN Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network consisting of two resistors; a series base resistor and a base emitter resistor. These 6 5 digital transistors are designed to

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