FTB1366F . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTB1366F
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
Tensión emisor-base (Veb): 7 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 9 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 150 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FTB1366F
FTB1366F Datasheet (PDF)
ftb1366f.pdf
SEMICONDUCTORFTB1366FTECHNICAL DATACA FTB1366F TRANSISTOR (PNP) E DIM MILLIMETERS_A 10 16 0 20+_B 15 00 0 20+FEATURES _C 3 00 0 20+Low VCE(sat): VCE(sat)=-1.0V(Max.)(IC/IB=-2A/-0.2A) D 0 6250 125E 3 50 typComplementary to FTD2058F F 2 7 typ_G 16 80 0 4+LM_H 0 45 0 1R +_J 13 20 + 0 20MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)
ftb1366.pdf
SEMICONDUCTORFTB1366TECHNICAL DATA FTB1366 TRANSISTOR (PNP) TO-220F FEATURES Low VCE(sat): VCE(sat)=-1.0V(Max.)(IC/IB=-2A/-0.2A)1. BASE Complementary to FTD2058 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Base Voltage -7 V
ftb1386.pdf
SEMICONDUCTORFTB1386TECHNICAL DATAFTB1386 FEATURES AC Excellent DC current gain characteristics HG Low collector saturation voltage Complements the FTD2098DDMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) KF FDIM MILLIMETERSSymbol Parameter Value Unit A 4.70 MAX_+B 2.50 0.20VCBO -30 V Collector-Base Voltage C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.1
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D882P , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
