FTB1386 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FTB1386
Código: BHP_BHQ_BHR
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar FTB1386
FTB1386 Datasheet (PDF)
ftb1386.pdf
SEMICONDUCTORFTB1386TECHNICAL DATAFTB1386 FEATURES AC Excellent DC current gain characteristics HG Low collector saturation voltage Complements the FTD2098DDMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) KF FDIM MILLIMETERSSymbol Parameter Value Unit A 4.70 MAX_+B 2.50 0.20VCBO -30 V Collector-Base Voltage C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.1
ftb1366f.pdf
SEMICONDUCTORFTB1366FTECHNICAL DATACA FTB1366F TRANSISTOR (PNP) E DIM MILLIMETERS_A 10 16 0 20+_B 15 00 0 20+FEATURES _C 3 00 0 20+Low VCE(sat): VCE(sat)=-1.0V(Max.)(IC/IB=-2A/-0.2A) D 0 6250 125E 3 50 typComplementary to FTD2058F F 2 7 typ_G 16 80 0 4+LM_H 0 45 0 1R +_J 13 20 + 0 20MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)
ftb1366.pdf
SEMICONDUCTORFTB1366TECHNICAL DATA FTB1366 TRANSISTOR (PNP) TO-220F FEATURES Low VCE(sat): VCE(sat)=-1.0V(Max.)(IC/IB=-2A/-0.2A)1. BASE Complementary to FTD2058 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Base Voltage -7 V
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
