FTB1386 Todos los transistores

 

FTB1386 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTB1386
   Código: BHP_BHQ_BHR
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.5 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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FTB1386 Datasheet (PDF)

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FTB1386

SEMICONDUCTORFTB1386TECHNICAL DATAFTB1386 FEATURES AC Excellent DC current gain characteristics HG Low collector saturation voltage Complements the FTD2098DDMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) KF FDIM MILLIMETERSSymbol Parameter Value Unit A 4.70 MAX_+B 2.50 0.20VCBO -30 V Collector-Base Voltage C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.1

 9.1. Size:317K  first silicon
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FTB1386

SEMICONDUCTORFTB1366FTECHNICAL DATACA FTB1366F TRANSISTOR (PNP) E DIM MILLIMETERS_A 10 16 0 20+_B 15 00 0 20+FEATURES _C 3 00 0 20+Low VCE(sat): VCE(sat)=-1.0V(Max.)(IC/IB=-2A/-0.2A) D 0 6250 125E 3 50 typComplementary to FTD2058F F 2 7 typ_G 16 80 0 4+LM_H 0 45 0 1R +_J 13 20 + 0 20MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)

 9.2. Size:256K  first silicon
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FTB1386

SEMICONDUCTORFTB1366TECHNICAL DATA FTB1366 TRANSISTOR (PNP) TO-220F FEATURES Low VCE(sat): VCE(sat)=-1.0V(Max.)(IC/IB=-2A/-0.2A)1. BASE Complementary to FTD2058 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Base Voltage -7 V

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