FTB1386 - описание и поиск аналогов

 

FTB1386. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FTB1386

Маркировка: BHP_BHQ_BHR

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 82

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для FTB1386

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

FTB1386 даташит

 ..1. Size:245K  first silicon
ftb1386.pdfpdf_icon

FTB1386

SEMICONDUCTOR FTB1386 TECHNICAL DATA FTB1386 FEATURES A C Excellent DC current gain characteristics H G Low collector saturation voltage Complements the FTD2098 D D MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) K F F DIM MILLIMETERS Symbol Parameter Value Unit A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 VCBO -30 V Collector-Base Voltage C 1.70 MAX 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.1

 9.1. Size:317K  first silicon
ftb1366f.pdfpdf_icon

FTB1386

SEMICONDUCTOR FTB1366F TECHNICAL DATA C A FTB1366F TRANSISTOR (PNP) E DIM MILLIMETERS _ A 10 16 0 20 + _ B 15 00 0 20 + FEATURES _ C 3 00 0 20 + Low VCE(sat) VCE(sat)=-1.0V(Max.)(IC/IB=-2A/-0.2A) D 0 625 0 125 E 3 50 typ Complementary to FTD2058F F 2 7 typ _ G 16 80 0 4 + L M _ H 0 45 0 1 R + _ J 13 20 + 0 20 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted)

 9.2. Size:256K  first silicon
ftb1366.pdfpdf_icon

FTB1386

SEMICONDUCTOR FTB1366 TECHNICAL DATA FTB1366 TRANSISTOR (PNP) TO-220F FEATURES Low VCE(sat) VCE(sat)=-1.0V(Max.)(IC/IB=-2A/-0.2A) 1. BASE Complementary to FTD2058 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3. EMITTER Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage -60 V VEBO Emitter-Base Voltage -7 V

Другие транзисторы: FTB1116A, FTB1151, FTB1184, FTB1197K, FTB1260, FTB1261, FTB1366, FTB1366F, BDT88, FTB1412, FTB1424, FTB5240, FTB649A, FTB772, FTB772D, FTB772F, FTB834

 

 

 

 

↑ Back to Top
.