FTB1412 Todos los transistores

 

FTB1412 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTB1412
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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FTB1412 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:242K  first silicon
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FTB1412

SEMICONDUCTORFTB1412TECHNICAL DATAFTB1412 TRANSISTOR (PNP) AIFEATURESCJ Power Amplifier ApplicationsDIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1Symbol Parameter Value Unit HH 1 00 MAXVCBO Collector-Base Voltage -30 V I 2 30 0 2LF FJ 0 5 0 1VC

 0.1. Size:242K  first silicon
 ftb1412d.pdf pdf_icon

FTB1412

SEMICONDUCTORFTB1412TECHNICAL DATAFTB1412 TRANSISTOR (PNP) AIFEATURESCJ Power Amplifier ApplicationsDIM MILLIMETERSA 6 50 0 2B 5 60 0 2C 5 20 0 2MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 1 50 0 2E 2 70 0 2F 2 30 0 1Symbol Parameter Value Unit HH 1 00 MAXVCBO Collector-Base Voltage -30 V I 2 30 0 2LF FJ 0 5 0 1VC

 9.1. Size:311K  first silicon
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FTB1412

SEMICONDUCTORFTB1424TECHNICAL DATAFTB1424 TRANSISTOR (PNP) AC HGFEATURES Excellent DC Current Gain Low Collector-emitter saturation voltage DD Complement the FTD2150 KF FDIM MILLIMETERSA 4.70 MAX_+B 2.50 0.20C 1.70 MAX1 2 3D 0.45+0.15/-0.10E 4.25 MAX _+F 1.50 0.10G 0.40 TYP1. BASEMAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted

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History: 3CA8550 | DSA8102 | BTA9012A3

 

 
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