FTB1412 Todos los transistores

 

FTB1412 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: FTB1412
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 82
   Paquete / Cubierta: TO252 DPAK
 

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FTB1412 datasheet

 ..1. Size:242K  first silicon
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FTB1412

SEMICONDUCTOR FTB1412 TECHNICAL DATA FTB1412 TRANSISTOR (PNP) A I FEATURES C J Power Amplifier Applications DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 C 5 20 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 1 50 0 2 E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 Symbol Parameter Value Unit H H 1 00 MAX VCBO Collector-Base Voltage -30 V I 2 30 0 2 L F F J 0 5 0 1 VC

 0.1. Size:242K  first silicon
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FTB1412

SEMICONDUCTOR FTB1412 TECHNICAL DATA FTB1412 TRANSISTOR (PNP) A I FEATURES C J Power Amplifier Applications DIM MILLIMETERS A 6 50 0 2 B 5 60 0 2 C 5 20 0 2 MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) D 1 50 0 2 E 2 70 0 2 F 2 30 0 1 Symbol Parameter Value Unit H H 1 00 MAX VCBO Collector-Base Voltage -30 V I 2 30 0 2 L F F J 0 5 0 1 VC

 9.1. Size:311K  first silicon
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FTB1412

SEMICONDUCTOR FTB1424 TECHNICAL DATA FTB1424 TRANSISTOR (PNP) A C H G FEATURES Excellent DC Current Gain Low Collector-emitter saturation voltage D D Complement the FTD2150 K F F DIM MILLIMETERS A 4.70 MAX _ + B 2.50 0.20 C 1.70 MAX 1 2 3 D 0.45+0.15/-0.10 E 4.25 MAX _ + F 1.50 0.10 G 0.40 TYP 1. BASE MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted

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